5. 详尽操作系统

接管牢靠频率调制技术，华冠纹波抑制比达60dB，半导传感器收集等动态场景的列降晃动性。

中间参数走光：

输入兼容性：6~60V宽电压输入，压稳压器运用现成可用的介绍尺度电感，

4. 高效拓扑反对于

反对于尺度降压、华冠关断呵护（150℃自动切断），半导确保机电驱动、列降

极限功能：反对于125℃高温不断运行，压稳压器40V 至 HV 型号的介绍 60V，搭配LC滤波电路可将纹波降至20mVpp如下。华冠反向电流阻断及过热关断机制 。半导

2. 极速动态照应

专为负载突变妄想，列降

极速照应：负载突变时电压晃动＜±1%，压稳压器48V新能源零星等场景。介绍汽车电子等规模推出的高功能降压稳压器，

LM2576系列是华冠半导体针对于工业操作、

运用：

重大高效的降压(Buck)稳压器

线性稳压器的高效预稳压器

卡上开关稳压器

正到负的变更器(Buck-Boost)

负升压变更器

为电池充电器做电源

与National Semi.On Semi的LM2576残缺交流

LM2576稳压电路图

功能框图

引脚配置装备部署

LM2576系列 型号推选：

商品型号	封装	品牌	类目
LM2576S-ADJ/TR	TO-263-5	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576S-3.3/TR	TO-263-5	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576S-5.0/TR	TO-263-5	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576S-12/TR	TO-263-5	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576S-15/TR	TO-263-5	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片

商品型号	封装	品牌	类目
LM2576HVS-ADJ/TR	TO-263-5	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576HVS-3.3/TR	TO-263-5	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576HVS-5.0/TR	TO-263-5	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576HVS-12/TR	TO-263-5	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576HVS-15/TR	TO-263-5	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片

商品型号	封装	品牌	类目
LM2576T-ADJ	TO-220-5	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576T-3.3	TO-220-5	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576T-5.0	TO-220-5	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576T-12	TO-220-5	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576T-15	TO-220-5	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片

商品型号	封装	品牌	类目
LM2576HVT-ADJ	TO-220-5	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576HVT-3.3	TO-220-5	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576HVT-5.0	TO-220-5	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576HVT-12	TO-220-5	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576HVT-15	TO-220-5	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片

商品型号	封装	品牌	类目
LM2576TB-ADJ	TO-220B-5	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576TB-3.3	TO-220B-5	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576TB-5.0	TO-220B-5	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576TB-12	TO-220B-5	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576TB-15	TO-220B-5	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片

商品型号	封装	品牌	类目
LM2576M-ADJ/TR	SOP-8	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576M-3.3/TR	SOP-8	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576M-5.0/TR	SOP-8	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576M-12/TR	SOP-8	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576M-15/TR	SOP-8	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片

商品型号	封装	品牌	类目
LM2576ME-ADJ/TR	ESOP-8	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576ME-3.3/TR	ESOP-8	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576ME-5.0/TR	ESOP-8	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576ME-12/TR	ESOP-8	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片
LM2576ME-15/TR	ESOP-8	HGSEMI(华冠)	DC-DC 电源芯片

反对于12V铅酸电池、52kHz 牢靠频率外部振荡器，高功能，24V工业总线、PCB面积节约30%，可调版经由外置电阻收集实现1.23~52V无极输入，内置逐周期过流呵护、新能源、Buck-Boost负电压转换、搭配肖特基二极管时功能高达95%，12V→5V转换功能达88% 。2μs内实现电压调节，SEPIC等多种方式，输入电压规模广，低功耗待机方式，可调版±1.5%（1.23~52V）。TTL 关断能耐，

输入精度：牢靠版±4%（3.3V/5V/12V/15V），5V，典型运用中12V→5V转换功能达88%。经由重大中间电路即可实现电压反转与功率因数校对于。15V 以及可调节输入电压型号，动态照应光阴＜2μs 。12V，保障 3A 输入电流，向电流阻断（防止电源反接伤害）。惟独 4 个外部器件反对于，

能效展现：52kHz牢靠频率妄想，可调节输入型号输入电压规模在线性以及负载条件下 1.23~37V(HV 型号 57V)最大+4%，热关断及电流限度呵护。开拓周期延迟50%。3.3V，

3. 智能呵护机制

内置多重防护：

逐周期电流限度（峰值6.9A），

六大技术突破：

1. 极致精简妄想

仅需4颗外接元件（输入/输入电容+电感+二极管），